Kontribusi pengguna Hartanto Wibowo
Pengguna dengan 1.466 suntingan. Akun dibuat pada 12 Januari 2023.
6 Juni 2024
- 05.596 Juni 2024 05.59 beda riw +6.089 Doping (semikonduktor) Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 04.296 Juni 2024 04.29 beda riw +4.044 Semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 02.096 Juni 2024 02.09 beda riw +525 Fabrikasi wafer (elektronik) Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
5 Juni 2024
- 14.075 Juni 2024 14.07 beda riw +4.580 Semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan
- 08.345 Juni 2024 08.34 beda riw −9 Semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan
- 07.275 Juni 2024 07.27 beda riw +950 Semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan
4 Juni 2024
- 14.194 Juni 2024 14.19 beda riw +10.685 B Daftar bahan semikonduktor ←Membuat halaman berisi ''''Bahan semikonduktor''' secara nominal merupakan isolator celah pita kecil. Sifat yang menentukan dari bahan semikonduktor adalah bahwa bahan tersebut dapat dikompromikan dengan menambahkan pengotor yang mengubah sifat elektroniknya dengan cara yang dapat dikontrol. Karena penerapannya dalam industri komputer dan fotovoltaik —dalam perangkat seperti transistor, laser, dan sel surya —pencarian material sem...' saat ini
28 Mei 2024
- 08.2428 Mei 2024 08.24 beda riw +83 B Kategori:Transistor efek–medan ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Jenis transistor Kategori:Jenis transistor' saat ini
- 07.2428 Mei 2024 07.24 beda riw +2.558 B MOSFET daya ←Membuat halaman berisi ''''MOSFET daya''' adalah jenis transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) khusus yang dirancang untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Dibandingkan dengan perangkat semikonduktor daya lainnya, seperti transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT) atau thyristor, keunggulan utamanya adalah kecepatan peralihan yang tinggi dan efisiensi yang baik pada tegangan rendah. Ia berbagi dengan IGBT sebuah gerbang terisolasi yang membuatnya mudah dik...' saat ini
- 07.1728 Mei 2024 07.17 beda riw +2.604 B Perangkat semikonduktor daya ←Membuat halaman berisi ''''Perangkat semikonduktor daya''' adalah perangkat semikonduktor yang digunakan sebagai sakelar atau penyearah dalam elektronika daya (misalnya pada catu daya mode sakelar). Perangkat semacam itu juga disebut perangkat daya atau, bila digunakan dalam sirkuit terpadu, IC daya. Perangkat semikonduktor daya biasanya digunakan dalam "mode pergantian" (yaitu aktif atau nonaktif), dan oleh karena itu memiliki desain yang dioptimalkan untuk penggun...' saat ini
- 07.0128 Mei 2024 07.01 beda riw +90 B Kategori:Elektronika daya ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Industri elektronika Kategori:Elektronika Kategori:Teknik elektronika' saat ini
27 Mei 2024
- 17.0927 Mei 2024 17.09 beda riw +26 B Kategori:Struktur semikonduktor ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Semikonduktor' saat ini
- 17.0927 Mei 2024 17.09 beda riw +41 B Kategori:Bahan fabrikasi semikonduktor ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor' saat ini
- 17.0427 Mei 2024 17.04 beda riw +6.512 B Gerbang oksida ←Membuat halaman berisi ''''Gerbang oksida''' adalah lapisan dielektrik yang memisahkan terminal gerbang gate MOSFET (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) dari terminal sumber source dan saluran drain pembuangan serta saluran konduktif yang menghubungkan sumber dan saluran pembuangan ketika transistor dihidupkan. Gerbang oksida dibentuk oleh oksidasi termal silikon saluran untuk membentuk lapisan isolasi silikon dioksida yang tipis (5 - 200 nm). Lapis...' saat ini Tag: pranala ke halaman disambiguasi
26 Mei 2024
- 09.3126 Mei 2024 09.31 beda riw +2.181 B Tegangan ambang ←Membuat halaman berisi ''''Tegangan ambang''' , biasa disingkat V<sub>th</sub> atau V<sub>GS(th)</sub>, dari transistor efek medan (FET) adalah tegangan gerbang-ke-sumber minimum (V<sub>GS</sub>) yang diperlukan untuk membuat jalur konduksi antara sumber dan terminal pembuangan. Ini merupakan faktor penskalaan yang penting untuk menjaga efisiensi daya. Ketika mengacu pada transistor efek medan persimpangan (JFET), tegangan ambang sering disebut tegangan pinch-off. Hal ini agak...' saat ini
- 09.1426 Mei 2024 09.14 beda riw +1.703 Pengemasan sirkuit terpadu Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
25 Mei 2024
- 08.5225 Mei 2024 08.52 beda riw −2 Kategori:Penguat transistor Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 08.5225 Mei 2024 08.52 beda riw +2 Kategori:Saklar solid state Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 08.4825 Mei 2024 08.48 beda riw +57 B Kategori:Penguat transistor ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perangkat semikonduktor Kategori:Sakelar'
- 08.4825 Mei 2024 08.48 beda riw +55 B Kategori:Saklar solid state ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Penguat elektronik'
- 08.4125 Mei 2024 08.41 beda riw +23 B Kategori:Reka cipta berdasarkan abad ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta' saat ini
- 08.4125 Mei 2024 08.41 beda riw +40 B Kategori:Penemuan abad ke-20 ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta berdasarkan abad' saat ini
- 08.3525 Mei 2024 08.35 beda riw +37 B Kategori:Perkenalan tahun 1960 ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perkenalan menurut tahun' saat ini
- 08.3325 Mei 2024 08.33 beda riw +38 B Kategori:Penemuan Arab ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara' saat ini
- 08.3325 Mei 2024 08.33 beda riw +38 B Kategori:Penemuan Korea Selatan ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara' saat ini
- 08.2725 Mei 2024 08.27 beda riw +7.752 B Daftar aplikasi MOSFET ←Membuat halaman berisi ''''MOSFET''' (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) adalah jenis transistor efek medan gerbang terisolasi (IGFET) yang dibuat dengan oksidasi terkontrol dari semikonduktor, biasanya silikon. Tegangan gerbang tertutup menentukan konduktivitas listrik perangkat; kemampuan untuk mengubah konduktivitas dengan jumlah tegangan yang diberikan dapat digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. MOSFET adalah bahan penyusun dasar seba...' saat ini
24 Mei 2024
- 06.3824 Mei 2024 06.38 beda riw +7.400 MOSFET Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
22 Mei 2024
- 18.1122 Mei 2024 18.11 beda riw +418 Fabrikasi semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 09.2622 Mei 2024 09.26 beda riw +3.120 Fabrikasi semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan
- 06.3222 Mei 2024 06.32 beda riw +5.823 Fabrikasi semikonduktor →Sejarah transistor dan semikonduktor
21 Mei 2024
- 17.5821 Mei 2024 17.58 beda riw +4.804 Fabrikasi semikonduktor →Fabrikasi semikonduktor wafer bolu "kue lapis" Tag: kemungkinan perlu dirapikan
- 14.1021 Mei 2024 14.10 beda riw +4.274 B Interkoneksi (sirkuit terpadu) ←Membuat halaman berisi 'Dalam sirkuit terpadu (IC), '''interkoneksi''' adalah struktur yang menghubungkan dua atau lebih elemen rangkaian (seperti transistor) secara elektrik. Desain dan tata letak interkoneksi pada IC sangat penting untuk fungsi, kinerja, efisiensi daya, keandalan, dan hasil fabrikasi yang tepat. Interkoneksi material yang dibuat bergantung pada banyak faktor. Kompatibilitas kimia dan mekanik dengan substrat [...' saat ini
- 09.0021 Mei 2024 09.00 beda riw +2.555 Fabrikasi semikonduktor Tidak ada ringkasan suntingan
20 Mei 2024
- 12.3620 Mei 2024 12.36 beda riw +3.513 B Effendi Leobandung ←Membuat halaman berisi ''''Effendi Leobandung''' adalah seorang insinyur kelistrikan Indonesia, Amerika dan anggota Institut Insinyur Listrik dan Elektronika. Effendi lahir pada tanggal 26 Desember 1970 di Medan, Sumatera, Indonesia. Putra Leo dan Misna Bandung. Effendi Leobandung, seorang penemu produktif yang tinggal di Stormville, NY, telah menorehkan prestasi di bidang inovasi dan paten. Salah satu paten terbaru Leobandung bertajuk “Usage Metering...' saat ini
- 09.2920 Mei 2024 09.29 beda riw +53 B Kategori:Transistor bipolar ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Jenis transistor Kategori:Transistor' saat ini
- 09.2220 Mei 2024 09.22 beda riw +3.629 B Transistor kontak titik ←Membuat halaman berisi ''''Transistor kontak titik''' adalah jenis transistor pertama yang berhasil didemonstrasikan. Ini dikembangkan oleh ilmuwan penelitian John Bardeen dan Walter Brattain di Bell Laboratories pada bulan Desember 1947. Mereka bekerja dalam kelompok yang dipimpin oleh fisikawan William Shockley. Kelompok ini telah bekerja sama dalam eksperimen dan teori efek medan listrik pada material padat, dengan tujuan mengganti tabung vakum dengan perangka...' saat ini
- 05.5720 Mei 2024 05.57 beda riw +79 Kristal tunggal Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 05.4320 Mei 2024 05.43 beda riw +5.034 B Kristal tunggal ←Membuat halaman berisi 'Dalam ilmu material, '''kristal tunggal''' (atau '''padatan kristal tunggal''' atau '''padatan monokristalin''' berelasi dengan silikon monokristalin) adalah bahan yang kisi kristal seluruh sampelnya kontinu dan tidak terputus hingga ke tepi sampel, tanpa batas butir. Tidak adanya cacat yang terkait dengan batas butir dapat memberikan sifat unik pada monokristal, terutama mekanik, optik, dan listrik, yang juga...'
19 Mei 2024
- 06.3619 Mei 2024 06.36 beda riw +2.657 Back end of line (BEOL) Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 05.4619 Mei 2024 05.46 beda riw +33 B Fabrikasi alat semikonduktor ←Mengalihkan ke Fabrikasi semikonduktor saat ini Tag: Pengalihan baru
- 05.4519 Mei 2024 05.45 beda riw +6.510 B Back end of line (BEOL) ←Membuat halaman berisi ''''Back end of line''' atau '''back end of line''' ( '''BEOL''' ) adalah suatu proses fabrikasi perangkat semikonduktor yang terdiri dari pengendapan lapisan interkoneksi logam ke dalam wafer yang sudah berpola perangkat. Ini adalah bagian kedua dari fabrikasi IC, setelah front end of line (FEOL). Di BEOL, masing-masing perangkat (transistor, kapasitor, resistor, dll.) dihubungkan satu sama lain sesuai dengan cara pemasangan...' Tag: kemungkinan perlu dirapikan
- 05.4219 Mei 2024 05.42 beda riw +5.580 B Front end of line (FEOL) ←Membuat halaman berisi ''''front end of line''' ('''FEOL''') adalah bagian pertama dari fabrikasi IC di mana masing-masing komponen (transistor, kapasitor, resistor, dll) dipola dalam substrat semikonduktor. FEOL umumnya mencakup semuanya hingga (tetapi tidak termasuk) pengendapan lapisan interkoneksi logam.<ref> {{cite book | title = Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology | edition = 2nd | author = Karen A. Reinhardt and Werner Kern | publisher =...' saat ini
- 03.4419 Mei 2024 03.44 beda riw +444 Wafer (elektronik) →Material wafer semikonduktor saat ini
- 03.3619 Mei 2024 03.36 beda riw +10.337 Wafer (elektronik) Tidak ada ringkasan suntingan Tag: VisualEditor
17 Mei 2024
- 21.5817 Mei 2024 21.58 beda riw +165 Kategori:Industri (ekonomika) Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 21.4717 Mei 2024 21.47 beda riw +185 Kategori:Manufaktur Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 21.3917 Mei 2024 21.39 beda riw +298 Original design manufacturer Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
- 21.3917 Mei 2024 21.39 beda riw +155 Produsen peralatan asli →Referensi saat ini
12 Mei 2024
- 18.4112 Mei 2024 18.41 beda riw +4.907 B Pakan fosfat ←Membuat halaman berisi ''''Pakan fosfat''' anorganik atau '''Inorganic feed phosphates''' ('''IFP''') adalah garam anorganik dari asam fosfat . Penggunaan fosfat pakan anorganik diperlukan untuk memenuhi kebutuhan fosfor untuk produksi hewan : untuk menjamin pertumbuhan, kesuburan dan perkembangan tulang yang optimal.<ref>{{Cite journal |last1=Grimbergen |first1=A. H. M. |last2=Cornelissen |first2=J. P. |last3=Stappers |first3=H. P. |dat...' saat ini Tag: kemungkinan perlu dirapikan
 |