Effendi Leobandung
Effendi Leobandung adalah seorang insinyur kelistrikan Indonesia, Amerika dan anggota Institut Insinyur Listrik dan Elektronika. Effendi lahir pada tanggal 26 Desember 1970 di Medan, Sumatera, Indonesia. Putra Leo dan Misna Bandung.
Effendi Leobandung, seorang penemu produktif yang tinggal di Stormville, NY, telah menorehkan prestasi di bidang inovasi dan paten. Salah satu paten terbaru Leobandung bertajuk “Usage Metering by Bias Temperature Instability.” Penemuan ini memperkenalkan teknik baru untuk pengukuran penggunaan dengan memanfaatkan ketidakstabilan suhu bias dengan penginderaan diferensial pada pasangan transistor yang cocok. Paten tersebut menjelaskan penggunaan perangkat pengukur yang terdiri dari rangkaian pengukur dengan transistor yang cocok dan rangkaian penginderaan arus diferensial.[1]
Pendidikan
- Bachelor of Science, Iowa State University, 1991.
- Master of Science, University Minnesota, 1993.
- Doctor of Philosophy, University Minnesota, 1996.
Karier
- Asisten peneliti Universitas Minnesota, Minneapolis, 1991-1996.
- Insinyur penasihat International Business Machines Corporation, East Fishkill, New York, sejak tahun 1996.
FinFET[sunting | sunting sumber]
Insinyur Indonesia Effendi Leobandung, saat bekerja di Universitas Minnesota, menerbitkan makalah bersama Stephen Y. Chou pada Konferensi Penelitian Perangkat ke-54 pada tahun 1996 yang menguraikan manfaat pemotongan transistor CMOS lebar menjadi banyak saluran dengan lebar sempit untuk meningkatkan penskalaan perangkat dan meningkatan arus perangkat dengan meningkatkan lebar perangkat efektif.[2] Struktur inilah tampilan FinFET modern. Meskipun beberapa lebar perangkat dikorbankan dengan memotongnya menjadi lebar yang sempit, konduksi dari dinding samping sirip sempit lebih dari menebus hilangnya, untuk sirip tinggi.[3] Perangkat ini memiliki lebar saluran 35 nm dan panjang saluran 70 nm.
FinFET adalah jenis transistor non-planar, atau transistor "3D".[4] Ini adalah dasar untuk fabrikasi perangkat semikonduktor nanoelektronik modern. Mikrochip yang menggunakan gerbang FinFET pertama kali dikomersialkan pada paruh pertama tahun 2010-an, dan menjadi desain gerbang yang dominan pada simpul proses 14 nm, 10 nm, dan 7 nm.
Referensi[sunting | sunting sumber]
- ^ https://patents.justia.com/inventor/effendi-leobandung
- ^ Leobandung, E.; Chou, S.Y. (1996). "Reduction of short channel effects in SOI MOSFETs with 35 nm channel width and 70 nm channel length". 1996 54th Annual Device Research Conference Digest. Santa Barbara, CA, USA: IEEE: 110–111. doi:10.1109/DRC.1996.546334. ISBN 978-0-7803-3358-1. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2022-06-29. Diakses tanggal 2022-06-28.
- ^ Leobandung, Effendi (June 1996). Nanoscale MOSFETs and single charge transistors on SOI. Minneapolis, MN: U of Minnesota, Ph.D. Thesis. p. 72.
- ^ "What is Finfet?". www.computerhope.com (dalam bahasa Inggris). Diarsipkan dari versi asli tanggal 2019-07-04. Diakses tanggal 2022-06-28.